韓國三星電子公司２０日説，已經研制出全球最小ＤＲＡＭ晶片，將在全球率先量産。

　　這款晶片為第二代１０奈米級８千兆字節ＤＤＲ４　ＤＲＡＭ。去年２月，三星電子實現第一代１０奈米級ＤＲＡＭ晶片的量産。

　　三星介紹，第二代１０奈米級ＤＲＡＭ産品採用超高速、超節電、超小型電路設計等最新工藝技術，較第一代１０奈米級速度提高１０％以上，耗電量節省１５％以上，生産效率提高３０％。

　　ＤＲＡＭ是動態隨機存取記憶體，最為常見的係統記憶體。（卜曉明）【新華社微特稿】

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